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Estudio estructural de semiconductores usados en aplicaciones fotovoltaicas

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dc.contributor.gruplacNANOTECHspa
dc.creatorMesa, Fredy
dc.creatorDussan, Anderson
dc.creatorPaez-Sierra, Beynor A.
dc.creator.googleMesa, Fredy
dc.creator.googleDussan, Anderson
dc.creator.googlePaez-Sierra, Beynor A.
dc.date.accessioned2016-11-02T20:40:24Z
dc.date.available2016-11-02T20:40:24Z
dc.date.created2014-07
dc.date.issued2014
dc.descriptionSe presenta un estudio de las propiedades estructurales de los semiconductores Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 y Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) usados como capa absorbente en dispositivos optoelectrónicos. Todas las muestras fueron crecidas por procesos de co-evaporación de sus especies metálicas sobre sustratos de vidrio. El efecto de las condiciones de preparación sobre las propiedades estructurales y composición química han sido analizados y obtenidos a partir de difracción de rayos-X (XRD) y espectroscopia de electrones Auger (AES). Los resultados revelan que todos los compuestos crecen con estructura ortorrómbica, a diferencia del SnS2 y el CIGS, que crecen con estructura hexagonal y tetragonal, respectivamente. Los resultados composicionales revelaron que a partir de la deconvolución de sus picos se encontraron fases asociadas a Cu2Se y In2Se3spa
dc.description.abstractWe present a study of the structural properties of Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 and Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) semiconductor compounds used as absorber layer in optoelectronic devices. The samples were grown by co-evaporation processes of the metallic species on glass substrates. The effect of preparation conditions on the structural properties and chemical composition has been analyzed and made from X-ray diffraction (XRD) and Auger electron spectroscopy (AES) measurements. The results show that all compounds grow with orthorhombic structure, unlike the SnS2 and CIGS growing hexagonal and tetragonal structure, respectively. The compositional results showed that after the deconvolution of peaks associated phases Cu2Se and In2Se3 were found.eng
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.urihttp://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12552
dc.language.isospa
dc.relation.citationEndPage37
dc.relation.citationIssueNo. 48E
dc.relation.citationStartPage24
dc.relation.citationTitleMomento. Revista de Física
dc.rights.accesRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.accesoAbierto (Texto completo)spa
dc.rights.ccAtribución-NoComercial 2.5 Colombiaspa
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dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/2.5/co/
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dc.source.instnameinstname:Universidad del Rosariospa
dc.source.reponamereponame:Repositorio Institucional EdocURspa
dc.subjectSemiconductoresspa
dc.subjectDRXspa
dc.subjectceldas solaresspa
dc.subjectestructura cristalinaspa
dc.subject.keywordSemiconductorseng
dc.subject.keywordXRDeng
dc.subject.keywordsolar cellseng
dc.subject.keywordcrystalline structureeng
dc.titleEstudio estructural de semiconductores usados en aplicaciones fotovoltaicasspa
dc.title.TranslatedTitleStructural study of semiconductors for photovoltaic applicationseng
dc.typeworkingPapereng
dc.type.hasVersioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.spaDocumento de trabajospa
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