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dc.creatorMesa, Fredy 
dc.creatorFajardo Tiriath, Dalila 
dc.date.accessioned2016-11-02T20:40:09Z
dc.date.available2016-11-02T20:40:09Z
dc.date.created2014-05-22
dc.date.issued2014
dc.identifier.urihttp://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12550
dc.description.abstractThe interface formed between Cu3BiS3 thin films and the buffer layer is a potentially limiting factor to the performance of solar cells based on Al/Cu3BiS3/buffer heterojunctions. The buffer layers of ZnS and In2S3 were grown by coevaporation, and tested as an alternative to the traditional CdS deposited by chemical bath deposition. From the Kelvin probe force microscopy measurements, we found the values of the work function of ZnS, In2S3, and CdS, layers deposited into Cu3BiS3. Additionally, different electronic activity was found for different grain boundaries (GBs), from studies under illumination, we also found the net doping concentration and the density of charged GB states for Cu3BiS3 and Cu3BiS3/CdS.
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoeng
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/co/
dc.sourceinstname:Universidad del Rosario
dc.sourcereponame:Repositorio Institucional EdocUR
dc.titleStudy of heterostructures of Cu3BiS3–buffer layer measured by Kelvin probe force microscopy measurements (KPFM)
dc.typeworkingPaper
dc.subject.keywordNanocrystalline Semiconductors
dc.subject.keywordheterostructures of Cu3BiS3
dc.rights.accesRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.type.spaDocumento de trabajo
dc.rights.accesoAbierto (Texto completo)
dc.type.hasVersioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
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dc.rights.ccAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombia
dc.rights.licenciaEL AUTOR, manifiesta que la obra objeto de la presente autorización es original y la realizó sin violar o usurpar derechos de autor de terceros, por lo tanto la obra es de exclusiva autoría y tiene la titularidad sobre la misma. PARGRAFO: En caso de presentarse cualquier reclamación o acción por parte de un tercero en cuanto a los derechos de autor sobre la obra en cuestión, EL AUTOR, asumirá toda la responsabilidad, y saldrá en defensa de los derechos aquí autorizados; para todos los efectos la universidad actúa como un tercero de buena fe. EL AUTOR, autoriza a LA UNIVERSIDAD DEL ROSARIO, para que en los términos establecidos en la Ley 23 de 1982, Ley 44 de 1993, Decisión andina 351 de 1993, Decreto 460 de 1995 y demás normas generales sobre la materia, utilice y use la obra objeto de la presente autorización. -------------------------------------- POLITICA DE TRATAMIENTO DE DATOS PERSONALES. Declaro que autorizo previa y de forma informada el tratamiento de mis datos personales por parte de LA UNIVERSIDAD DEL ROSARIO para fines académicos y en aplicación de convenios con terceros o servicios conexos con actividades propias de la academia, con estricto cumplimiento de los principios de ley. Para el correcto ejercicio de mi derecho de habeas data cuento con la cuenta de correo habeasdata@urosario.edu.co, donde previa identificación podré solicitar la consulta, corrección y supresión de mis datos.
dc.contributor.gruplacNANOTECH
dc.creator.googleMesa, Fredy
dc.creator.googleFajardo Tiriath, Dalila
dc.relation.citationEndPage895
dc.relation.citationIssueNo. 7
dc.relation.citationStartPage892
dc.relation.citationTitleCanadian Journal of Physics
dc.relation.citationVolumeVol. 92


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