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dc.creatorMesa, Fredy 
dc.creatorDussan, Anderson 
dc.creatorPaez-Sierra, Beynor A. 
dc.date.accessioned2016-11-02T20:40:24Z
dc.date.available2016-11-02T20:40:24Z
dc.date.created2014-07
dc.date.issued2014
dc.identifier.urihttp://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12552
dc.descriptionSe presenta un estudio de las propiedades estructurales de los semiconductores Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 y Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) usados como capa absorbente en dispositivos optoelectrónicos. Todas las muestras fueron crecidas por procesos de co-evaporación de sus especies metálicas sobre sustratos de vidrio. El efecto de las condiciones de preparación sobre las propiedades estructurales y composición química han sido analizados y obtenidos a partir de difracción de rayos-X (XRD) y espectroscopia de electrones Auger (AES). Los resultados revelan que todos los compuestos crecen con estructura ortorrómbica, a diferencia del SnS2 y el CIGS, que crecen con estructura hexagonal y tetragonal, respectivamente. Los resultados composicionales revelaron que a partir de la deconvolución de sus picos se encontraron fases asociadas a Cu2Se y In2Se3
dc.description.abstractWe present a study of the structural properties of Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 and Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) semiconductor compounds used as absorber layer in optoelectronic devices. The samples were grown by co-evaporation processes of the metallic species on glass substrates. The effect of preparation conditions on the structural properties and chemical composition has been analyzed and made from X-ray diffraction (XRD) and Auger electron spectroscopy (AES) measurements. The results show that all compounds grow with orthorhombic structure, unlike the SnS2 and CIGS growing hexagonal and tetragonal structure, respectively. The compositional results showed that after the deconvolution of peaks associated phases Cu2Se and In2Se3 were found.
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isospa
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/2.5/co/
dc.sourceinstname:Universidad del Rosario
dc.sourcereponame:Repositorio Institucional EdocUR
dc.subjectSemiconductores
dc.subjectDRX
dc.subjectceldas solares
dc.subjectestructura cristalina
dc.titleEstudio estructural de semiconductores usados en aplicaciones fotovoltaicas
dc.typeworkingPaper
dc.subject.keywordSemiconductors
dc.subject.keywordXRD
dc.subject.keywordsolar cells
dc.subject.keywordcrystalline structure
dc.rights.accesRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.type.spaDocumento de trabajo
dc.rights.accesoAbierto (Texto completo)
dc.type.hasVersioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.source.bibliographicCitationK. Takarabe, K. Kawai, S. Minomura, T. Irie, M. Taniguchi, J. Appl. Phys. 71, 441 (1992).
dc.source.bibliographicCitationA. Dussan, F. Mesa, G. Gordillo, J. Mater. Sci. 45, 2403 (2010).
dc.source.bibliographicCitationF. Fan, L. Wu, S. Yu, Energy Environ. Sci. 7, 190 (2014).
dc.source.bibliographicCitationN. Gerein, J. Haber, Chem. Mater.18, 6297 (2006).
dc.source.bibliographicCitationV. Saji, S. Lee, C. Lee, J. Korean Electrochemical Soc. 14, 61 (2011).
dc.source.bibliographicCitationF. Mesa, G. Gordillo, C. Calderon, Thin Solid Films 518, 1764 (2010).
dc.source.bibliographicCitationF. Mesa et. al, Beilstein J Nanotechnol. 3, 277 (2012).
dc.source.bibliographicCitationM. Kumar, C. Person, Appl. Phys. Lett. 102, 062109 (2013)
dc.source.bibliographicCitationD. Briggs, M.P. Seah, John WILLEY & SONS. Vol. 1, second edition (1993).
dc.source.bibliographicCitationS. Mischler, H.J. Mathieu, D. Landolt, Surf. Interface Anal. 11, 182 (1988).
dc.source.bibliographicCitationD.J. Fabian, E. Kallne, J.C. Fuggle, L.M. Watson, Phys. Rev. B 16, 750 (1977).
dc.source.bibliographicCitationDi Chen, Guozhen Shen, Kaibin Tang, Xianming Liu, Yitai Qian, Guien Zhou, J. Cryst. Growth 253, 512 (2003).
dc.rights.ccAtribución-NoComercial 2.5 Colombia
dc.rights.licenciaEL AUTOR, manifiesta que la obra objeto de la presente autorización es original y la realizó sin violar o usurpar derechos de autor de terceros, por lo tanto la obra es de exclusiva autoría y tiene la titularidad sobre la misma. PARGRAFO: En caso de presentarse cualquier reclamación o acción por parte de un tercero en cuanto a los derechos de autor sobre la obra en cuestión, EL AUTOR, asumirá toda la responsabilidad, y saldrá en defensa de los derechos aquí autorizados; para todos los efectos la universidad actúa como un tercero de buena fe. EL AUTOR, autoriza a LA UNIVERSIDAD DEL ROSARIO, para que en los términos establecidos en la Ley 23 de 1982, Ley 44 de 1993, Decisión andina 351 de 1993, Decreto 460 de 1995 y demás normas generales sobre la materia, utilice y use la obra objeto de la presente autorización. -------------------------------------- POLITICA DE TRATAMIENTO DE DATOS PERSONALES. Declaro que autorizo previa y de forma informada el tratamiento de mis datos personales por parte de LA UNIVERSIDAD DEL ROSARIO para fines académicos y en aplicación de convenios con terceros o servicios conexos con actividades propias de la academia, con estricto cumplimiento de los principios de ley. Para el correcto ejercicio de mi derecho de habeas data cuento con la cuenta de correo habeasdata@urosario.edu.co, donde previa identificación podré solicitar la consulta, corrección y supresión de mis datos.
dc.contributor.gruplacNANOTECH
dc.creator.googleMesa, Fredy
dc.creator.googleDussan, Anderson
dc.creator.googlePaez-Sierra, Beynor A.
dc.title.TranslatedTitleStructural study of semiconductors for photovoltaic applications
dc.relation.citationEndPage37
dc.relation.citationIssueNo. 48E
dc.relation.citationStartPage24
dc.relation.citationTitleMomento. Revista de Física


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