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Electronic structure and magnetism of Mn-doped GaSb for spintronic applications: A DFT study

dc.contributor.gruplacNanoTechspa
dc.creatorMesa, Fredy
dc.creatorSeña, N.
dc.creatorDussan, Anderson
dc.creatorCastaño, E.
dc.creatorGonzález-Hernández, R.
dc.creator.googleSeña, N.
dc.creator.googleDussan, Anderson
dc.creator.googleMesa, Fredy
dc.creator.googleCastaño, E.
dc.creator.googleGonzález-Hernández, R.
dc.date.accessioned2016-11-09T22:45:35Z
dc.date.available2016-11-09T22:45:35Z
dc.date.created2016-07-19
dc.date.issued2016
dc.description.abstractWe have carried out first-principles spin polarized calculations to obtain comprehensive information regarding the structural, magnetic, and electronic properties of the Mn-doped GaSb compound with dopant concentrations: x¼0.062, 0.083, 0.125, 0.25, and 0.50. The plane-wave pseudopotential method was used in order to calculate total energies and electronic structures. It was found that the MnGa substitution is the most stable configuration with a formation energy of 1.60 eV/Mn-atom. The calculated density of states shows that the half-metallic ferromagnetism is energetically stable for all dopant concentrations with a total magnetization of about 4.0 lB/Mn-atom. The results indicate that the magnetic ground state originates from the strong hybridization between Mn-d and Sb-p states, which agree with previous studies on Mn-doped wide gap semiconductors. This study gives new clues to the fabrication of diluted magnetic semiconductorseng
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.urihttp://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12563
dc.language.isoeng
dc.relation.citationIssueNo. 5
dc.relation.citationTitleAIP. Journal of Applied Physics
dc.relation.citationVolumeVol. 120
dc.rights.accesRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.accesoAbierto (Texto completo)spa
dc.rights.ccAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombiaspa
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dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/co/
dc.source.bibliographicCitationH. Ohno, J. Magn. Magn. Mater. 200, 110 (1999).
dc.source.bibliographicCitationT. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
dc.source.bibliographicCitationT. Dietl and H. Ohno, Physica E 9, 185 (2001).
dc.source.bibliographicCitationJ. Konig, J. Schliemann, T. Jungwirth, and A. H. MacDonald, in Electronic Structure and Magnetism of Complex Materials, edited by D. J. Singh and D. A. Papaconstantopoulos (Springer, Berlin, 2002)
dc.source.bibliographicCitationP. S. Dutta, H. L. Bhat, and V. Kumar, J. Appl. Phys. 81, 5821 (1997)
dc.source.bibliographicCitationH. Ohno, Science 291, 840 (2001)
dc.source.bibliographicCitationF. Matsukura, E. Abe, and H. Ohno, J. Appl. Phys. 87, 6442 (2000)
dc.source.bibliographicCitationL. Tran, J. Herfort, O. Bierwagen, F. Hatami, and W. T. Masselink, Phys. Status Solidi (C) 6, 1492 (2009)
dc.source.bibliographicCitationK. Ganesan and H. L. Bhat, J. Supercond. Novel Magn. 21, 391 (2008)
dc.source.bibliographicCitationS. Koshihara, A. Oiwa, M. Hirasawa, S. Katsumoto, Y. Iye, C. Urano, H. Takagi, and H. Munekata, Phys. Rev. Lett. 78, 4617 (1997)
dc.source.bibliographicCitationH. Ohno, D. Chiba, F. Matsukura, T. Omiya, E. Abe, T. Dietl, Y. Ohno, and K. Ohtani, Nature 408, 944 (2000)
dc.source.bibliographicCitationE. Abe, F. Matsukura, H. Yasuda, Y. Ohno, and H. Ohno, Physica E 7, 981 (2000)
dc.source.bibliographicCitationF. Matsukura, H. Ohno, A. Shen, and Y. Sugawara, Phys. Rev. B 57, R2037 (1998)
dc.source.bibliographicCitationT. Jungwirth, Q. Niu, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. Lett. 88, 207208 (2002)
dc.source.bibliographicCitationK. H. J. Buschow, Handbook of Magnetic Materials (Elsevier, North Holland, 2002)
dc.source.bibliographicCitationP. E. Blochl, Phys. Rev. B 50, 17953 (1994); G. Kresse and D. Joubert, ibid. 59, 1758 (1999)
dc.source.bibliographicCitationG. Kresse and J. Furthmuller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996); Phys. Rev. B 54, 11169 (1996)
dc.source.bibliographicCitationJ. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996)
dc.source.bibliographicCitationH. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976)
dc.source.bibliographicCitationJ. Buckeridge, D. O. Scanlon, T. D. Veal, M. J. Ashwin, A. Walsh, and C. R. A. Catlow, Phys. Rev. B 89, 014107 (2014)
dc.source.bibliographicCitationM. R. Islam, N. F. Chen, and M. Yamada, Cryst. Res. Technol. 43, 1091 (2008)
dc.source.bibliographicCitationO. D. D. Couto, Jr., M. J. S. P. Brasil, F. Iikawa, C. Giles, C. Adriano, J. R. R. Bortoleto, M. A. A. Pudenzi, H. R. Gutierrez, and I. Danilov, Appl. Phys. Lett. 86, 071906 (2005)
dc.source.bibliographicCitationM. Moreno, A. Trampert, B. Jenichen, L. Daweritz, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 92, 4672 (2002)
dc.source.bibliographicCitationX. Y. Cui, B. Delley, A. J. Freeman, and C. Stampfl, Phys. Rev. B 76, 045201 (2007)
dc.source.bibliographicCitationP. Mahadevan and A. Zunger, Phys. Rev. B 68, 075202 (2003)
dc.source.bibliographicCitationJ. Okabayashi, A. Kimura, O. Rader, T. Misokawa, A. Fujimori, T. Hayashi, and M. Tanaka, Phys. Rev. B 64, 125304 (2001)
dc.source.bibliographicCitationH. Asklund, L. Ilver, J. Kanski, J. Sadowski, and R. Mathieu, Phys. Rev. B 66, 115319 (2002)
dc.source.bibliographicCitationD. Kitchen, A. Richardella, J. M. Tang, M. E. Flatte, and A. Yazdani, Nature 442, 436 (2006)
dc.source.bibliographicCitationB. Sanyal, O. Bengone, and S. Mirbt, Phys. Rev. B 68, 205210 (2003)
dc.source.bibliographicCitationT. Jungwirth, J. Sinova, J. Masek, J. Kucera, and A. H. MacDonald, Rev. Mod. Phys. 78, 809 (2006)
dc.source.bibliographicCitationH. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996)
dc.source.bibliographicCitationJ. Kudrnovsky, I. Turek, V. Drchal, F. Maca, P. Weinberger, and P. Bruno, Phys. Rev. B 69, 115208 (2004)
dc.source.instnameinstname:Universidad del Rosariospa
dc.source.reponamereponame:Repositorio Institucional EdocURspa
dc.subjectelectronicspa
dc.subjectstructurespa
dc.subjectmagnetismspa
dc.titleElectronic structure and magnetism of Mn-doped GaSb for spintronic applications: A DFT studyspa
dc.typeworkingPapereng
dc.type.hasVersioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.spaDocumento de trabajospa
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