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Cálculo de constantes ópticas de películas delgadas de Cu3BiS3 a través del método de Wolfe
Mesa, Fredy; Ballesteros, V.; Dussan, ASe calculó la obtención de las constantes ópticas usando el método de Wolfe. Dichas contantes: coeficiente de absorción (α), índice de refracción (n) y espesor de una película delgada (d ), son de importancia en el proceso ...Documento de trabajo. 2014
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Composting Machine based on Solar Energy, an Agroecological 'Boom'
Mesa, Fredy; Páez Torres, MagdaInvestigadores de la Universidad del Rosario crearon una máquina que permite transformar dos especies de plantas invasoras, que representan un peligro ambiental, en compostaje para cultivos de cebolla, papa y fresa. Este ...Artículo. 2020
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Electronic structure and magnetism of Mn-doped GaSb for spintronic applications: A DFT study
Mesa, Fredy; Seña, N.; Dussan, Anderson; Castaño, E.; González-Hernández, R.We have carried out first-principles spin polarized calculations to obtain comprehensive information regarding the structural, magnetic, and electronic properties of the Mn-doped GaSb compound with dopant concentrations: ...Documento de trabajo. 2016
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Estudio estructural de semiconductores usados en aplicaciones fotovoltaicas
Mesa, Fredy; Dussan, Anderson; Paez-Sierra, Beynor A.Se presenta un estudio de las propiedades estructurales de los semiconductores Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 y Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) usados como capa absorbente en dispositivos optoelectrónicos. Todas las muestras fueron ...Documento de trabajo. 2014
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Hall Effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films
Mesa, Fredy; Dussan, A; Paez-Sierra, B. A.; Rodriguez-Hernandez, H.Se presentan las propiedades eléctricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporación. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las ...Documento de trabajo. 2014
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Junction formation of Cu 3BiS 3 investigated by Kelvin probe force microscopy and surface photovoltage measurements
Mesa, Fredy; Chamorro, William; Vallejo, William; Baier, Robert; Dittrich, Thomas; Grimm, Alexander; Lux Steriner, Martha C; Sadewasser, Sascha"Recently, the compound semiconductor Cu3BiS3 has been demonstrated to have a band gap of ~1.4 eV, well suited for photovoltaic energy harvesting. The preparation of polycrystalline thin films was successfully realized and ...Artículo. 2012
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Procesos hopping a través del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas
Dussan, Anderson; Mesa, FredySe presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte ...Documento de trabajo. 2014
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Study of heterostructures of Cu3BiS3–buffer layer measured by Kelvin probe force microscopy measurements (KPFM)
Mesa, Fredy; Fajardo Tiriath, DalilaThe interface formed between Cu3BiS3 thin films and the buffer layer is a potentially limiting factor to the performance of solar cells based on Al/Cu3BiS3/buffer heterojunctions. The buffer layers of ZnS and In2S3 were ...Documento de trabajo. 2014
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Synthesis and characterization of porous silicon as hydroxyapatite host matrix of biomedical applications
Dussan, A.; Bertel, S. D.; Melo, S. F.; Mesa, FredyIn this work, porous-silicon samples were prepared by electrochemical etching on p-type (Bdoped) Silicon (Si) wafers. Hydrofluoric acid (HF)-ethanol (C2H5OH) [HF:Et] and Hydrofluoric acid (HF)-dimethylformamide (DMF-C3H7NO) ...Artículo. 2017