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dc.creatorMesa, Fredy 
dc.creatorSeña, N. 
dc.creatorDussan, Anderson 
dc.creatorCastaño, E. 
dc.creatorGonzález-Hernández, R. 
dc.date.accessioned2016-11-09T22:45:35Z
dc.date.available2016-11-09T22:45:35Z
dc.date.created2016-07-19
dc.date.issued2016 
dc.identifier.urihttp://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12563
dc.description.abstractWe have carried out first-principles spin polarized calculations to obtain comprehensive information regarding the structural, magnetic, and electronic properties of the Mn-doped GaSb compound with dopant concentrations: x¼0.062, 0.083, 0.125, 0.25, and 0.50. The plane-wave pseudopotential method was used in order to calculate total energies and electronic structures. It was found that the MnGa substitution is the most stable configuration with a formation energy of 1.60 eV/Mn-atom. The calculated density of states shows that the half-metallic ferromagnetism is energetically stable for all dopant concentrations with a total magnetization of about 4.0 lB/Mn-atom. The results indicate that the magnetic ground state originates from the strong hybridization between Mn-d and Sb-p states, which agree with previous studies on Mn-doped wide gap semiconductors. This study gives new clues to the fabrication of diluted magnetic semiconductors
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoeng
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/co/
dc.sourceinstname:Universidad del Rosario
dc.sourcereponame:Repositorio Institucional EdocUR
dc.subjectelectronic
dc.subjectstructure
dc.subjectmagnetism
dc.titleElectronic structure and magnetism of Mn-doped GaSb for spintronic applications: A DFT study
dc.typeworkingPaper
dc.rights.accesRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.type.spaDocumento de trabajo
dc.rights.accesoAbierto (Texto completo)
dc.type.hasVersioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.source.bibliographicCitationH. Ohno, J. Magn. Magn. Mater. 200, 110 (1999).
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dc.rights.ccAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombia
dc.rights.licenciaEL AUTOR, manifiesta que la obra objeto de la presente autorización es original y la realizó sin violar o usurpar derechos de autor de terceros, por lo tanto la obra es de exclusiva autoría y tiene la titularidad sobre la misma. PARGRAFO: En caso de presentarse cualquier reclamación o acción por parte de un tercero en cuanto a los derechos de autor sobre la obra en cuestión, EL AUTOR, asumirá toda la responsabilidad, y saldrá en defensa de los derechos aquí autorizados; para todos los efectos la universidad actúa como un tercero de buena fe. EL AUTOR, autoriza a LA UNIVERSIDAD DEL ROSARIO, para que en los términos establecidos en la Ley 23 de 1982, Ley 44 de 1993, Decisión andina 351 de 1993, Decreto 460 de 1995 y demás normas generales sobre la materia, utilice y use la obra objeto de la presente autorización. -------------------------------------- POLITICA DE TRATAMIENTO DE DATOS PERSONALES. Declaro que autorizo previa y de forma informada el tratamiento de mis datos personales por parte de LA UNIVERSIDAD DEL ROSARIO para fines académicos y en aplicación de convenios con terceros o servicios conexos con actividades propias de la academia, con estricto cumplimiento de los principios de ley. Para el correcto ejercicio de mi derecho de habeas data cuento con la cuenta de correo habeasdata@urosario.edu.co, donde previa identificación podré solicitar la consulta, corrección y supresión de mis datos.
dc.contributor.gruplacNanoTech
dc.creator.googleSeña, N.
dc.creator.googleDussan, Anderson
dc.creator.googleMesa, Fredy
dc.creator.googleCastaño, E.
dc.creator.googleGonzález-Hernández, R.
dc.relation.citationIssueNo. 5
dc.relation.citationTitleAIP. Journal of Applied Physics
dc.relation.citationVolumeVol. 120


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