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Thermoelectric Properties of 2D Transition-Metal Dichalcogenides (TMDs) Probed by Scanning Thermal Microscopy (SThM)
Título de la revista
Autores
Bohorquez-Vargas, Daniel
Bermúdez-Pérez, Jose D.
Ávila-Cortés, Ana S.
Herrera-Vasco, Edwin
Seijas, Luis E.
Castañeda-Uribe, Octavio A.
Giraldo Gallo, Paula
Galvis, José Augusto
Fecha
2025-10-20
Directores
ISSN de la revista
Título del volumen
Editor
Universidad del Rosario
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Resumen
La microscopía térmica de barrido (SThM) permite el estudio local y cuantitativo de las propiedades termoeléctricas en dicalcogenuros de metales de transición bidimensionales (TMDs). Al aplicarla a WSe2 dopado con telurio (Te), se observa que el coeficiente de Seebeck (S) depende de manera sistemática de la densidad de vacancias de calcógeno y del contenido de dopante; en particular, S aumenta al incrementarse la concentración de vacancias. Estos resultados establecen a la SThM como una herramienta práctica para investigar la física termoeléctrica a nanoescala en los TMDs y para orientar estrategias de ingeniería de defectos dirigidas a mejorar la potencia termoeléctrica.
Abstract
Scanning thermal microscopy (SThM) enables local, quantitative study of thermoelectric properties in two-dimensional transition-metal dichalcogenides (TMDs). Applied to Te-doped WSe2, we find that the Seebeck coefficient (S) depends systematically on chalcogen-vacancy density and dopant content; in particular, S increases with increasing vacancy concentration. These results establish SThM as a practical tool to investigate nanoscale thermoelectric physics in TMDs and to guide defect engineering strategies for enhanced thermopower.
Palabras clave
Propiedades termoeléctricas , Dicalcogenuros de Metales de Transición (TMDs) , Microscopía Térmica de Barrido (SThM) , Materiales 2D
Keywords
Thermoelectric properties , Transition-metal dichalcogenides (TMDs) , Scanning thermal microscopy (SThM) , 2D materials
