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First-Principles Calculations of the Electronic and Structural Properties of GaSb

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dc.contributor.gruplacNANOTECHspa
dc.creatorCastaño-González, E.-E.
dc.creatorSeña, N.
dc.creatorMendoza-Estrada, V.
dc.creatorGonzález-Hernández, R.
dc.creatorDussan, Anderson
dc.creatorMesa, F.
dc.creator.googleCastaño-González, E.-E.
dc.creator.googleSeña, N.
dc.creator.googleMendoza-Estrada, V.
dc.creator.googleGonzález-Hernández, R.
dc.creator.googleDussan, A.
dc.creator.googleMesa, F.
dc.date.accessioned2016-11-02T20:40:17Z
dc.date.available2016-11-02T20:40:17Z
dc.date.created2016-03-01
dc.date.issued2016
dc.description.abstractIn this paper, we carried out first-principles calculations in order to investigate the structural and electronic properties of the binary compound gallium antimonide (GaSb). This theoretical study was carried out using the Density Functional Theory within the plane-wave pseudopotential method. The effects ofexchange and correlation (XC) were treated using the functional Local Density Approximation (LDA), generalized gradient approximation (GGA): Perdew–Burke–Ernzerhof (PBE), Perdew-Burke-Ernzerhof revised for solids (PBEsol), Perdew-Wang91 (PW91), revised Perdew–Burke–Ernzerhof (rPBE), Armiento–Mattson 2005 (AM05) and meta-generalized gradient approximation (meta-GGA): Tao–Perdew– Staroverov–Scuseria (TPSS) and revised Tao–Perdew–Staroverov–Scuseria (RTPSS) and modified Becke-Johnson (MBJ). We calculated the densities of state (DOS) and band structure with different XC potentials identified and compared them with the theoretical and experimental results reported in the literature. It was discovered that functional: LDA, PBEsol, AM05 and RTPSS provide the best results to calculate the lattice parameters (a) and bulk modulus (B0); while for the cohesive energy (Ecoh), functional: AM05, RTPSS and PW91 are closer to the values obtained experimentally. The MBJ, Rtpss and AM05 values found for the band gap energy is slightly underestimated with those values reported experimentally.eng
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.urihttp://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12551
dc.language.isoeng
dc.relation.citationEndPage1286
dc.relation.citationIssueNo. 10
dc.relation.citationStartPage1280
dc.relation.citationTitleSemiconductors
dc.relation.citationVolumeVol. 50
dc.rights.accesRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.accesoAbierto (Texto completo)spa
dc.rights.ccAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombiaspa
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dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/co/
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dc.source.instnameinstname:Universidad del Rosariospa
dc.source.reponamereponame:Repositorio Institucional EdocURspa
dc.subjectElectronic and Structural Propertiesspa
dc.titleFirst-Principles Calculations of the Electronic and Structural Properties of GaSbspa
dc.typeworkingPapereng
dc.type.hasVersioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.spaDocumento de trabajospa
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