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dc.creatorCastaño-González, E.-E. 
dc.creatorSeña, N. 
dc.creatorMendoza-Estrada, V. 
dc.creatorGonzález-Hernández, R. 
dc.creatorDussan, Anderson 
dc.creatorMesa, F. 
dc.date.accessioned2016-11-02T20:40:17Z
dc.date.available2016-11-02T20:40:17Z
dc.date.created2016-03-01
dc.date.issued2016 
dc.identifier.urihttp://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12551
dc.descriptionIn this paper, we carried out first-principles calculations in order to investigate the structural and electronic properties of the binary compound gallium antimonide (GaSb). This theoretical study was carried out using the Density Functional Theory within the plane-wave pseudopotential method. The effects ofexchange and correlation (XC) were treated using the functional Local Density Approximation (LDA), generalized gradient approximation (GGA): Perdew–Burke–Ernzerhof (PBE), Perdew-Burke-Ernzerhof revised for solids (PBEsol), Perdew-Wang91 (PW91), revised Perdew–Burke–Ernzerhof (rPBE), Armiento–Mattson 2005 (AM05) and meta-generalized gradient approximation (meta-GGA): Tao–Perdew– Staroverov–Scuseria (TPSS) and revised Tao–Perdew–Staroverov–Scuseria (RTPSS) and modified Becke-Johnson (MBJ). We calculated the densities of state (DOS) and band structure with different XC potentials identified and compared them with the theoretical and experimental results reported in the literature. It was discovered that functional: LDA, PBEsol, AM05 and RTPSS provide the best results to calculate the lattice parameters (a) and bulk modulus (B0); while for the cohesive energy (Ecoh), functional: AM05, RTPSS and PW91 are closer to the values obtained experimentally. The MBJ, Rtpss and AM05 values found for the band gap energy is slightly underestimated with those values reported experimentally.
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoeng
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/co/
dc.sourceinstname:Universidad del Rosario
dc.sourcereponame:Repositorio Institucional EdocUR
dc.subjectElectronic and Structural Properties
dc.titleFirst-Principles Calculations of the Electronic and Structural Properties of GaSb
dc.typeworkingPaper
dc.rights.accesRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.type.spaDocumento de trabajo
dc.rights.accesoAbierto (Texto completo)
dc.type.hasVersioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.source.bibliographicCitationC. H. Fu, Y. H. Lin, W. C. Lee, T. D. Lin, R. L. Chu, L. K. Chu, P. Chang, M. H. Chen, W. J. Hsueh, S. H. Chen, G. J. Brown, J. I. Chyi, J. Kwo, and M. Hong, Microelectron. Eng. 147, 330 (2015).
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dc.rights.ccAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombia
dc.rights.licenciaEL AUTOR, manifiesta que la obra objeto de la presente autorización es original y la realizó sin violar o usurpar derechos de autor de terceros, por lo tanto la obra es de exclusiva autoría y tiene la titularidad sobre la misma. PARGRAFO: En caso de presentarse cualquier reclamación o acción por parte de un tercero en cuanto a los derechos de autor sobre la obra en cuestión, EL AUTOR, asumirá toda la responsabilidad, y saldrá en defensa de los derechos aquí autorizados; para todos los efectos la universidad actúa como un tercero de buena fe. EL AUTOR, autoriza a LA UNIVERSIDAD DEL ROSARIO, para que en los términos establecidos en la Ley 23 de 1982, Ley 44 de 1993, Decisión andina 351 de 1993, Decreto 460 de 1995 y demás normas generales sobre la materia, utilice y use la obra objeto de la presente autorización. -------------------------------------- POLITICA DE TRATAMIENTO DE DATOS PERSONALES. Declaro que autorizo previa y de forma informada el tratamiento de mis datos personales por parte de LA UNIVERSIDAD DEL ROSARIO para fines académicos y en aplicación de convenios con terceros o servicios conexos con actividades propias de la academia, con estricto cumplimiento de los principios de ley. Para el correcto ejercicio de mi derecho de habeas data cuento con la cuenta de correo habeasdata@urosario.edu.co, donde previa identificación podré solicitar la consulta, corrección y supresión de mis datos.
dc.contributor.gruplacNANOTECH
dc.creator.googleCastaño-González, E.-E.
dc.creator.googleSeña, N.
dc.creator.googleMendoza-Estrada, V.
dc.creator.googleGonzález-Hernández, R.
dc.creator.googleDussan, A.
dc.creator.googleMesa, F.


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